陶瓷橡膠電壓擊穿試驗儀擊穿電壓是使電介質擊穿的電壓，電介質在足夠強的電場作用下將失去其介電性能成為導體，稱為電介質擊穿，所對應的電壓稱為擊穿電壓。電介質擊穿時的電場強度叫擊穿場強。 在強電場作用下，固體電介質喪失電絕緣能力而由絕緣狀態突變為良導電狀態。導致擊穿的臨界電壓稱為擊穿電壓，在均勻電場中，擊穿電壓與固體電介質厚度之比稱為擊穿電場強度，它反映固體電介質自身的耐電強度。 不均勻電場中，擊穿電壓與擊穿處固體電介質厚度之比稱為平均擊穿場強，它低于均勻電場中固體電介質的介電強度。不同電介質在相同溫度下，其擊穿場強不同。當電容器介質和兩極板的距離d一定后，由U1-U2=Ed知，擊穿場強決定了擊穿電壓。 陶瓷橡膠電壓擊穿試驗儀不均勻電場中，空氣擊穿電壓和場強成反比。極不均勻電場間隙擊穿特性分析階段。極不均勻電場氣隙中，因間隙距離大，擊穿電壓主要取決于間隙距離，而與電極形狀關系不大，所以以棒-棒電極或棒一板電極作為研究極不均勻電場放電特性的典型電極。

棒極附近產生的電暈，帶電粒子定向運動，正離子向板極運動，由于速度慢，就在棒極附近形成電荷積累區，使未游離區的電場強度增大，而導致擊穿電壓降低。

電容器在不高于擊穿電壓下工作都是安全可靠的，不要誤認為電容器只有在額定電壓下工作才是正常的。

當 PN 結的反向偏壓較高時，會發生由于碰撞電離引發的電擊穿，即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加，直到與半導體晶格發生碰撞，碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。

新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞，如果平均每個電子（或空穴）在經過耗盡區的過程中可以產生大于 1 對的電子空穴對，那么該過程可以不斷被加強，最終達到耗盡區載流子數目激增，PN 結發生雪崩擊穿。